Společnost IBM dnes světu poprvé ukázala technologii „stacked nanosheet“, která má překonat dnes hojně používaný proces FinFET při výrobě mobilních čipsetů. Výsledkem vývoje, jehož se účastnila Research Alliance (IBM, GlobalFoundries a Samsung) , jsou 5nm čipsety, které jsou oproti současným 10nm čipsetům vyrobeny novou efektivnější technologií. S novými čipsety se počítá zejména v oblasti umělé inteligence, virtuální reality a u mobilních zařízení.
Zatímco se před dvěma lety IBM u testovacího 7nm čipsetu počítalo s 20 miliardami transistorů, u 5nm čipsetu je to již 30 miliard transistorů. IBM za to vděčí nové technice „vrstvených“ nano-transistorů, což výrobci umožňuje upravit výsledný návrh čipsetu z pohledu snížení spotřeby a vyššího výkonu, tj. za hranice současné technologie FinFET. Oproti současným 10nm čipsetům mají 5nm čipsety přinést až o 40 procent vyšší výkon, resp. až o 75 menší energetickou náročnost při porovnání stejných výkonových úrovní.
Klíčovým prvkem je v rámci nové 5nm výrobní technologie EUV (Extreme Ultraviolet Litography). GlobalFoundries ji u svého 7nm FinFET procesu ještě nevyužije, jakmile však bude technologie připravena (u 5nm čipů), bude s ní počítat. Samsung a TSMC se na ní budou také postupně připravovat. Podle skupiny vývojářů by měly být 5nm čipsety brzy použity ve smartphonech, zejména s ohledem na nižší spotřebu se tedy máme na co těšit.
Zdroj IBM via Zdnet
