Qualcomm představil novou generaci technologie Quick Charge, díky které je možné dobíjet baterii smartphonů s podporovanou technologií rychleji a účinněji. Proti předchozí generaci má Quick Charge 3.0 o 38 % větší účinnost nabíjení a doba nabíjení smartphonu se zkracuje až o 27 % času. Průměrný smartphone tak můžete z nuly na dvě třetiny kapacity baterie dobít za necelé půl hodiny. Technologie bude použita v nové sadě čipsetů plánovaných na příští rok. Jde o Snapdragony 430, 617, 618, 620 a 820.
Qualcomm se ve své vylepšené rychlodobíjecí technologii soustředil také na životnost takto provozované baterie. Quick Charge 3.0 má být k baterii šetrnější a prodloužit její životní cyklus. O 45 % má být zlepšeno technologické řešení zabraňující energetickým ztrátám. Qualcomm používá algoritmus INOV, který sám volí nejvhodnější napětí pro požadovaný výstupní proud. Napětí se může pohybovat od 3,6 do 20 V po 200 mV skocích. Quick Charge 2.0 uměl pouze 4 pevná napětí 5, 9, 12 a 20 V.
