Samsung vyvinul čip typu NAND flash, vyrobený 20 nm technologií, který dovolí mnohem rychlejší čtení a zápis dat na paměťových kartách. Podle údajů výrobce by se měla rychlost čtení a zápisu oproti současnosti zvýšit o dvojnásobek. Čip bude schopen výrobce dávat do paměťových karet o kapacitě 4 – 64 GB. Čtení dat z takových karet se pak bude pohybovat kolem 20 MB/s a zápis 10 MB/s.
Zdroj: newswire.co.kr