Průlom ve vývoji procesorů? Nápad Samsungu a IBM má telefonům přinést vyšší výkon a až týdenní výdrž

Jak dlouho se mluví o blízkém dosažení technologických limitů pro dnešní procesory? Přesto výrobci stále nacházejí nové způsoby, jak modernizovat a držet se legendárního Moorova zákona. Ten již před 50 lety předpověděl, že se každé 2 roky podaří zdvojnásobit složitost čipů.

Aktuálně nastupují 4nm čipy a stále se přemýšlí, jakým způsobem technologii posunout dál. Dnešní čipy již dlouho používají tzv. FinFET procesory, které se s každou novou architekturou zmenšují a zahušťují, takže se jich na jednotku plochy vejde víc. To s každou generací znamená nárůst výkonu při nižší spotřebě, tzn. vyšší efektivitu. Tato technologie však již také začínala narážet na limity. 

Výrazněji změnit to může až nějaká revoluční technologie ve výrobě čipů. A právě taková je možná na obzoru. S první variantou přišel v polovině roku americký technologický institut MIT ve spolupráci s Tchajwanskou národní univerzitou (NTU) a výrobcem TSMC, kteří zjistili, že s použitím bismutu bude možné posunout výrobu čipů pod 1nm architekturu. V takovém případě už by ve značení došlo ke změně řádu z nanometrů (nm) na pikometry (pm).

Směrem vzhůru

Úplně čerstvý technologický průlom ale nyní učinilo IBM ve spolupráci se Samsungem. Ti se na rozdíl od výše uvedeného výzkumu nezabývali materiály, ale návrhem samotného čipu. Výsledkem jsou nové tranzistory VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors). Hlavním rozdílem je, jak už název napovídá, že by jednotlivé tranzistory byly na čipu umístěny vertikálně.

To je velice radikální změna na rozdíl od dnešních FinFET tranzistorů, které leží na čipu na plocho, přičemž elektrický proud skrze ně proudí ze strany na stranu. Návrh VTFET tak dovolí hustší osazení tranzistoru na čipu, takže se jich zde vejde mnohem více, což pomůže pomoci razantnějšímu zvýšení výkonu nebo vyšší úspoře energie.

Výzkum hovoří až o dvojnásobném navýšení výkonu proti čipům s FinFET tranzistory nebo, ještě lépe, ke snížení energetické náročnosti až o 85 %. To by mělo pozitivní následky zejména pro chytré telefony. S těmito procesory by totiž nemusel být problém prodloužit jejich výdrž na baterii z jednotek dní na týden.

Samsung ani IBM zatím neprozradilo, kdy by mohla být zahájena sériová výroba těchto nových čipů. Nicméně slova o tom, že nový průlom umožní držet se Moorova zákona, nepřímo navádí k myšlence, že bychom se nových čipů s VTFET tranzistory mohli dočkat již během dvou let. To, že vertikálně umístěné tranzistory mohou být příští velkou věcí pro výpočetní komponenty, potvrzuje také Intel, jenž už tuto cestu také zkoumá.

Představení VTFET tranzistorů:

Zdroj: Interesting Engineering, Via: The Verge

Diskuze (34) Další článek: První dojmy ze skládacího Oppo Find N. Je jako Samsung Z Fold, jen kompaktnější

Témata článku: Samsung, , , , , , , , , , , Pro +, Průlom, Čip, Moor, Tranzistor, Samsun, NTU, Procesor, Engineering, Nárůst výkonu, Vysoký výkon, Interesting Engineering, Institut,